作为行业领先的含氟电子气体供应商，泉州宇极拥有领先国际的催化剂开发体系以及雄厚的科研实力，建立了自分子设计到产业化的成熟开发模式，打造了“贯通式”气体智造新模式，可围绕用户与市场需求提供电子特气的定制化解决方案，推动传统刻蚀材料的环保替代，赋能半导体产业的技术升级和创新发展。

催化剂开发

宇极拥有30多年的催化剂开发经验，在不断地研究与探索中积累了大量的数据和反应场景，建立了成熟、全面的催化剂开发体系，具备强大的催化剂开发和合成制备能力，有效支撑和推动含氟电子气体的产品合成与产业化开发。
公司自主开发了六氟丁二烯、三氟碘甲烷、氢氟烯烃等为代表的环境友好型（ODP值为0、低GWP值）含氟电子特气，拥有电子气体行业领先的生产和纯化工艺，引领全球环保刻蚀气体新时代。

科研实力雄厚

泉州宇极是一家专注于环境友好型含氟化合物研发和产业化的高新技术企业，拥有一支以博士和高级工程师为核心的管理及研发团队，在在新一代氯氟烃替代物，如含氟制冷剂、发泡剂、清洗剂等，以及半导体关键材料含氟电子气体、含氟电力绝缘气体、医药中间体等高端氟材料的制造方面掌握了大量核心技术，拥有90余项授权发明专利，多次获得国家级和省、部级科学技术奖励，整体技术处于国际领先水平。

定制解决方案

泉州宇极始终坚持以市场为导向的高质量创新，围绕用户和市场需求构建协同创新机制，提供定制化解决方案，可根据客户要求，对杂质组分进行有针对性的定向去除。
在电子气体产品的产业化上，泉州宇极建立了小试技术开发—中试技术开发—产业化放大—产品市场应用推广的新产品产业化模式，实现了多数原材料的自主生产，帮助用户实现更多科研想法，为半导体行业更多元化的研发奠定坚实基础。

推荐产品

六氟丁二烯（C4F6）

作为下一代刻蚀气体，被认为是具有竞争优势的产品之一，应用于半导体行业的干法刻蚀工艺，具有刻蚀线宽窄、深宽比高，以及可生成聚合物保护膜对侧壁起保护作用，温室效应潜值低（GWP100＜1）等特点。C4F6在0.13μm技术层面有诸多蚀刻上的优点，有比C4F8更高的对光阻和氮化硅选择比，可提高产品良率；可取代CF4，用于KrF激光锐利蚀刻半导体电容器图形（Patterns）的干法工艺。

三氟碘甲烷（CF3I）

作为高端刻蚀气体，在I2和氟碳聚合物沉积协同作用下，大幅提高刻蚀精度，且I的引入降低分子电离能，易形成F等离子体，提高刻蚀速率，用于7nm及以下线宽先进制程集成电路制造，还可以用作CVD反应腔清洗气体。CF3I环境友好，温室效应潜值低（GWP100<1）。

一氟甲烷（CH3F）

一种环境友好（GWP100=135）、高效的刻蚀气体，其具有选择性好、刻蚀速率高等优点，用于先进制程工艺的集成电路制造中的氮化膜、硅化膜的刻蚀。