六氟-1,3-丁二烯（C4F6）作为低温室效应的环保型蚀刻气体，主要用于半导体干法刻蚀工艺。随着物联网、云计算、人工智能等技术的运用，未来全球数据量将急剧增长，随之对存储能力的要求也越来越高，而2D平面结构已经到达技术极限，3D结构是未来发展必然趋势。随着3D NAND技术的发展，C4F6的消耗量将大幅增加，NAND FLASH从2D转向3D过程中，单片晶圆使用C4F6的消耗量达到之前的6倍以上。
刻蚀性能比较
C4F6，亦称六氟-1,3-丁二烯、HFBD，其作刻蚀使用具有以下优异性能：C/F比高达67%，与C4F8、C5F8相比，使用C4F6可得到更高的刻蚀速率选择比；与C4F8相比，C4F6有更高的对光阻和氮化硅选择比。这两个刻蚀优点，可提高刻蚀的稳定性和生产效率，从而提高产品良率和可靠性，因为随着器件尺寸推进到0.13um，孔的CD（关键尺寸）要比0.18um小30％左右，键膜层的选择比要高，这样才能扩大蚀刻的窗口。另外，C4F6全球变暖潜值低，产生的温室效应小，具有更好的环保特性，使用C4F6取代C4F8，可减少65%-82%PFC的排放。
C4F6可取代CF4，用于KrF激光锐利蚀刻半导体电容器图形（Patterns）的干法工艺。C4F6具有各向异性，在硅和氧化硅蚀刻中可产生理想的高宽比，在蚀刻形成聚合物薄膜（光刻胶）对侧壁起保护作用。
